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3KASMC43AHE3_A/H PDF预览

3KASMC43AHE3_A/H

更新时间： 2024-01-05 01:16:16
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 89K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 43V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN

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3KASMC43AHE3_A/H 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-214AB
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.51
其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY最大击穿电压：52.8 V
最小击穿电压：47.8 V击穿电压标称值：50.3 V
最大钳位电压：69.4 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-214ABJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：3000 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：185 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：6 W参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：43 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

3KASMC43AHE3_A/H 数据手册

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3KASMC10 thru 3KASMC43A  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
THERMAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
Typical thermal resistance, junction to ambient air (1)  
SYMBOL  
VALUE  
77.5  
UNIT  
RJA  
°C/ W  
Typical thermal resistance, junction to leads  
RJL  
18.3  
Note  
(1)  
Mounted on minimum recommended pad layout  
ORDERING INFORMATION (Example)  
PREFERRED P/N  
UNIT WEIGHT (g) PREFERRED PACKAGE CODE  
BASE QUANTITY  
DELIVERY MODE  
3KASMC10AHE3_A/H (1)  
3KASMC10AHE3_A/I (1)  
3KASMC10AHE3_B/H (1)  
3KASMC10AHE3_B/I (1)  
0.211  
0.211  
0.211  
0.211  
H
I
850  
3500  
850  
7" diameter plastic tape and reel  
13" diameter plastic tape and reel  
7" diameter plastic tape and reel  
13" diameter plastic tape and reel  
H
I
3500  
Note  
(1)  
AEC-Q101 qualified  
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
100  
10  
150  
TJ = 25 °C  
Pulse Width (td)  
is defined as the Point  
where the Peak Current  
decays to 50 % of IPPM  
tr = 10 µs  
Peak Value  
IPPM  
100  
50  
0
Half Value -  
IPP  
2
IPPM  
1
10/1000 µs Waveform  
as defined by R.E.A.  
td  
0.1  
0.1  
1.0  
3.0  
4.0  
0
2.0  
1
10  
100  
1000  
10 000  
t - Time (ms)  
td - Pulse Width (µs)  
Fig. 1 - Peak Pulse Power Rating Curve  
Fig. 3 - Pulse Waveform  
100  
75  
10 000  
1000  
100  
Measured at  
Zero Bias  
50  
25  
Measured at  
Stand-Off Voltage  
TJ = 25 °C  
f = 1.0 MHz  
V
sig = 50 mVp-p  
0
50  
TJ - Initial Temperature (°C)  
0
100  
150  
200  
10  
20  
30  
40 50  
VWM - Reverse Stand-off Voltage (V)  
Fig. 2 - Pulse Power or Current vs. Initial Junction Temperature  
Fig. 4 - Typical Junction Capacitance  
Revision: 22-Jul-16  
Document Number: 88480  
3
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

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3KASMC43AHE3_A/H 替代型号

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