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3KASMC43AHE3_A/H

更新时间： 2024-02-08 11:13:38

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威世 - VISHAY		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	89K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 43V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN

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3KASMC43AHE3_A/H 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-214AB
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.51
其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY	最大击穿电压：	52.8 V
最小击穿电压：	47.8 V	击穿电压标称值：	50.3 V
最大钳位电压：	69.4 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	3000 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	185 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	6 W	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	43 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

3KASMC43AHE3_A/H 数据手册

3KASMC10 thru 3KASMC43A

www.vishay.com

Vishay General Semiconductor

200

T_J= T_Jmax.

8.3 ms Single Half Sine-Wave

60 Hz

Resistive or

Inductive Load

100

150

175

100 125

200

Number of Cycles at 60 Hz

T_L- Lead Temperature (°C)

Fig. 5 - Maximum Non-Repetitive/Peak Forward Surge Current

Fig. 6 - Power Derating Curve

PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)

DO-214AB (SMC)

Cathode Band

Mounting Pad Layout

0.185 (4.69) MAX.

0.246 (6.22)

0.220 (5.59)

0.126 (3.20)

0.114 (2.90)

0.126 (3.20) MIN.

0.060 (1.52) MIN.

0.280 (7.11)

0.260 (6.60)

0.012 (0.305)

0.006 (0.152)

0.320 (8.13) REF.

0.103 (2.62)

0.079 (2.06)

0.060 (1.52)

0.030 (0.76)

0.008 (0.2)

0 (0)

0.320 (8.13)

0.305 (7.75)

Revision: 22-Jul-16

Document Number: 88480

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

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