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3EZ51

更新时间: 2024-11-17 22:36:15
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德欧泰克 - DIOTEC 二极管齐纳二极管测试IOT
页数 文件大小 规格书
2页 114K
描述
Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)

3EZ51 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-15包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.75Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:25 ΩJEDEC-95代码:DO-204AC
JESD-30 代码:O-PALF-W2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:3 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:51 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:10 mABase Number Matches:1

3EZ51 数据手册

 浏览型号3EZ51的Datasheet PDF文件第2页 
3EZ 1 … 3EZ 200 (3 W)  
Silicon-Power-Z-Diodes  
(non-planar technology)  
Silizium-Leistungs-Z-Dioden  
(flächendiffundierte Dioden)  
Maximum power dissipation  
Maximale Verlustleistung  
3 W  
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung  
1…200 V  
Plastic case  
DO-15  
Kunststoffgehäuse  
DO-204AC  
Weight approx. – Gewicht ca.  
0.4 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped in ammo pack  
see page 16  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
siehe Seite 16  
Dimensions / Maße in mm  
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.  
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.  
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der  
internationalen Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf  
Anfrage.  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Power dissipation – Verlustleistung  
TA = 25C  
TA = 25C  
Ptot  
3.0 W 1)  
60 W  
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms  
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms  
PZSM  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
– 50…+150C  
TS – 50…+175C  
Thermal resistance junction to ambient air  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
RthA  
RthL  
< 40 K/W 1)  
< 15 K/W  
Thermal resistance junction to lead  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht  
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite  
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen  
The 3EZ 1is a diode, operated in forward. The cathode, indicated by a ring, is to be connected to the negative pole.  
Die 3EZ 1 ist eine in Durchlaß betriebene Einzelchip-Diode.  
2
3
)
)
Die durch den Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.  
216  
28.02.2002  

3EZ51 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
3EZ51D5 MOTOROLA

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Zener Diode, 91V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41
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3EZ51D MICROSEMI

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3EZ51D1 ETC

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3EZ51D10 EIC

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SILICON ZENER DIODES
3EZ51D10 MICROSEMI

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3EZ51D10 MOTOROLA

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Zener Diode, 51V V(Z), 10%, 3W,
3EZ51D10E3 MICROSEMI

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Zener Diode, 51V V(Z), 10%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLAS
3EZ51D10E3/TR12 MICROSEMI

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DIODE ZENER 51V 3W DO204AL
3EZ51D10E3TR MICROSEMI

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Zener Diode, 51V V(Z), 10%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PI
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3EZ51D10TRE3 MICROSEMI

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Zener Diode, 51V V(Z), 10%, 3W,