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3EZ39D5RL

更新时间： 2024-02-16 07:19:46
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
8页 58K
描述
39V, 1W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41, PLASTIC, CASE 59-10, 2 PIN

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3EZ39D5RL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-41包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.57外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODE最大动态阻抗：28 Ω
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：1 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：39 V子类别：Voltage Reference Diodes
表面贴装：NO技术：ZENER
端子面层：TIN LEAD端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压容差：5%工作测试电流：19 mA
Base Number Matches：1

3EZ39D5RL 数据手册

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3EZ4.3D5 Series  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted, V = 1.5 V Max @ I = 200 mA for all types)  
A
F
F
Zener Voltage (Note 2)  
Zener Impedance (Note 3)  
Leakage Current  
I
R
V (Volts)  
Z
@ I  
Z
ZT  
@ I  
Z
ZK  
@ I  
I @ V  
R
(Note 4)  
I
ZT  
ZT  
ZK  
R
ZM  
Device  
Device  
Min  
Nom  
Max  
mA  
W
W
mA  
mA Max  
Volts  
mA  
mA  
(Note 1)  
Marking  
3EZ4.3D5  
3EZ6.2D5  
3EZ8.2D5* 3EZ8.2D5*  
3EZ10D5  
3EZ13D5  
3EZ4.3D5  
3EZ6.2D5  
4.09  
5.89  
7.79  
9.50  
12.35  
4.3  
6.2  
8.2  
10  
4.52  
6.51  
8.61  
10.5  
13.65  
174  
121  
91  
75  
58  
4.5  
1.5  
2.3  
3.5  
4.5  
400  
700  
700  
700  
700  
1
1
0.5  
0.25  
0.25  
30  
5
5
3
0.5  
1
3
6
7.6  
9.9  
590  
435  
330  
270  
208  
4.1  
3.1  
2.44  
2.0  
3EZ10D5  
3EZ13D5  
13  
1.54  
3EZ15D5  
3EZ16D5  
3EZ18D5  
3EZ24D5  
3EZ36D5  
3EZ15D5  
3EZ16D5  
3EZ18D5  
3EZ24D5  
3EZ36D5  
14.25  
15.2  
17.1  
22.8  
34.2  
15  
16  
18  
24  
36  
15.75  
16.8  
18.9  
25.2  
37.8  
50  
47  
42  
31  
21  
5.5  
5.5  
6.0  
9.0  
22  
700  
700  
750  
750  
1000  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
11.4  
12.2  
13.7  
18.2  
27.4  
180  
169  
150  
112  
75  
1.33  
1.25  
1.11  
0.83  
0.56  
3EZ39D5  
3EZ39D5  
37.05  
209  
228  
39  
40.95  
231  
252  
19  
3.4  
3.1  
2.3  
28  
1000  
9000  
9000  
9000  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.5  
1
1
29.7  
167  
182  
251  
69  
12  
11  
8
0.51  
0.09  
0.09  
0.06  
3EZ220D5* 3EZ220D5*  
3EZ240D5 3EZ240D5  
3EZ330D5 3EZ330D5  
220  
240  
330  
1600  
1700  
2200  
313.5  
346.5  
1
1. TOLERANCE AND TYPE NUMBER DESIGNATION  
Tolerance designation – device tolerance of ±5% are indicated by a “5” suffix.  
2. ZENER VOLTAGE (V ) MEASUREMENT  
Z
ON Semiconductor guarantees the zener voltage when measured at 40 ms ±10 ms, 3/8″ from the diode body. And an ambient temperature  
of 25°C (+8°C, –2°C)  
3. ZENER IMPEDANCE (Z ) DERIVATION  
Z
The zener impedance is derived from 60 seconds AC voltage, which results when an AC current having an rms value equal to 10% of the  
DC zener current (I or I ) is superimposed on I or I .  
ZT  
ZK  
ZT  
ZK  
4. SURGE CURRENT (I ) NON–REPETITIVE  
R
The rating listed in the electrical characteristics table is maximum peak, non–repetitive, reverse surge current of 1/2 square wave or  
equivalent sine wave pulse of 1/120 second duration superimposed on the test current, I , per JEDEC standards. However, actual device  
ZT  
capability is as described in Figure 3 of the General Data sheet for Surmetic 30s.  
*Not Available in the 6000/Tape & Reel.  
5
L = LEAD LENGTH  
TO HEAT SINK  
L = 1/8″  
4
L = 3/8″  
3
2
L = 1″  
1
0
0
20 40  
60  
80 100 120 140 160 180  
200  
T , LEAD TEMPERATURE (°C)  
L
Figure 1. Power Temperature Derating Curve  
http://onsemi.com  
3
12345678

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