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3DD5032-O-A-N-D

更新时间： 2022-09-18 18:31:39

品牌	Logo	应用领域
华微电子 - JSMC		晶体双极型晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	215K
描述
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5032 FOR LOW FREQUENCY

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3DD5032-O-A-N-D 数据手册

低频放大管壳额定的双极型晶体管

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5032 FOR LOW FREQUENCY

3DD5032

封装 Package

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS

TO-3P(H)IS

1500 V

BVCBO

V(max)

μs(max)

Vce(sat)

用途

APPLICATIONS

z 彩色电视机行输出电路 z Horizontal deflection

output for color TV.

FEATURES

品特性

z 3DD5032 is high breakdown

voltage of NPN bipolar transistor.

The main process of manufacture:

high voltage mesa type process,

triple diffused process etc,

等效电路 EQUIVALENT CIRCUIT

z3DD5032 是 NPN 双极型

高反压大功率晶体管，制

造中采用的主要工艺技

术有：高压台面工艺技

术、三重扩散技术等, 采

用塑料全包封结构。

adoption of fully plastic packge.

RBE=50Ω(Typ.)

订货信息 ORDER MESSAGE

订货型号

印

记

无卤素

封

装

包

装

器件重量

Order codes

Marking

Halogen Free Package

Packaging Device

Weight

3DD5032-O-A-N-D

3DD5032-Y-O-A-B-D D5032

D5032

否 NO

TO-3P(H)IS

泡沫 Foam 5.50 g(typ)

TO-3P(H)IS-Y 泡沫 Foam 5.50 g(typ)

印记说明 MARKING

商标 Trademark

型号 Part No.

年月 Year month

举例 For example

“8”－2008，“10”10 月 october

版本：200911G

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