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3DD55

更新时间： 2024-03-03 10:11:00

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3DD55 数据手册

硅三重扩散 NPN双极型晶体管芯片

○

W3DD55

产品概述

该芯片在采用适当的封装工艺以后，可以形成多种封装形式的硅 NPN功率晶体管，主要用于电

子镇流器、电子节能灯的功率开关电路。

芯片数据

芯片示意图

芯片尺寸(mm×mm)

芯片厚度(µm)

2.50×1.65

240±20

360×460

350×660

铝/5.5µm

银

基

区

键合区面积

(µm²)

发射区

正面电极金属/厚度

背面电极金属

硅片直径(mm)

装片要求

φ125

铅锡焊片

极限值（除非另有规定，T_a= 25℃）

参数名称

符号

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

额定值

800

400

单位

推荐的封装形式

集电极-基极电压

集电极-发射极电压

发射极-基极电压

集电极直流电流

3.0

I_CM

1.5

集电极脉冲电流（tp＜5ms）

基极直流电流

TO-92

I_B

450

I_BM

基极脉冲电流（tp＜5ms）

P_tot

T_j

0.8

150

℃

耗散功率

结温

Ta=25℃

T_stg

贮存温度

-55～150

电特性（除非另有规定，T_a= 25℃）

规范值

参数名称

符号

测试条件

单位

最大

0.1

最小典型

I_CBO

I_CEO

V_CB=800V, I_E=0

V_CE=400V, I_B=0

V_EB=9V, I_C=0

I_C=0.1mA

集电极-基极截止电流

集电极-发射极截止电流

发射极-基极截止电流

集电极-基极电压

0.1

I_EBO

0.1

V_CBO

V_CEO

V_EBO

800

400

I_C=1mA

集电极-发射极电压

I_E=0.1mA

发射极-基极电压

h_FE

V_CE=5V, I_C=1.0A

共发射极正向电流传输比的静态值

h_FE1:V_CE=5V, I_C=5mA

h_FE2:V_CE=5V, I_C=0.2A

h_FE1/h_FE2

0.75

0.85

小电流下 h_FE1与大电流下 h_FE2比值

无锡华润华晶微电子有限公司

2015V01

1 / 3

12 3

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