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3DD13007

更新时间： 2024-01-22 17:56:26

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固锝 - GOOD-ARK		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	269K
描述
TRANSISTOR

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3DD13007 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	8 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	5
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

3DD13007 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-220 Plastic-Encapsulate Transistors

3DD13007

TRANSISTOR（ NPN ）

TO— 220

FEATURES

Power dissipation

P_CM

W（Tamb=25℃）

Collector current

I_CM:

1.BASE

2.COLLECTOR

3.EMITTER

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: 700 V

1 2 3

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test

conditions

MIN

700

400

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic= 1mA，I_E=0

Ic= 10mA，I_B=0

I_E= 1mA，I_C=0

V_CB= 700V， I_E=0

V_EB= 9 V， I_C=0

V_CE= 5V, I_C= 2 A

V_CE=5 V, I_C=5A

I_C=2A,I_B=0.4A

100

µA

Emitter cut-off current

I_EBO

h_FE（1）

h_FE（2）

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C=2A, I_B= 0.4A

1.2

Ic=500mA,V_CE=10V

f=1MH_Z

MH_Z

Collector output capacitance

Fall time

V_CE=10,I_E=0，f=0.1MHz

C_ob

t_f

0.7

µs

Vcc=125V, Ic=5A

I_B1=-I_B2=1A

Storage time

t_s

µs

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

8-15

15-20

20-25

25-30

30-35

35-40

12 3

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