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3DD13005A-O-M-N-C

更新时间: 2024-01-12 05:10:21
品牌 Logo 应用领域
华微电子 - JSMC 晶体开关晶体管高压
页数 文件大小 规格书
6页 450K
描述
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

3DD13005A-O-M-N-C 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.61
Base Number Matches:1

3DD13005A-O-M-N-C 数据手册

 浏览型号3DD13005A-O-M-N-C的Datasheet PDF文件第1页浏览型号3DD13005A-O-M-N-C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号3DD13005A-O-M-N-C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号3DD13005A-O-M-N-C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号3DD13005A-O-M-N-C的Datasheet PDF文件第6页 
R
3DD13005A  
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25)  
符 号  
数 值  
单 位  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
V
集电极发射极直流电压  
集电极发射极直流电压  
发射极基极直流电压  
最大集电极直流电流  
最大集电极脉冲电流  
最大基极直流电流  
Collector- Emitter VoltageVBE=0VCES  
Collector- Emitter VoltageIB=0VCEO  
450  
400  
V
Emitter-Base Voltage  
VEBO  
IC  
9
V
Collector CurrentDC)  
Collector Currentpulse)  
Base CurrentDC)  
4
A
ICP  
IB  
8
A
2
A
最大基极脉冲电流  
Base Currentpulse)  
Total Dissipation (TO-126)  
Total Dissipation (TO-220)  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
IBP  
PC  
PC  
Tj  
4
40  
A
最大集电极耗散功率  
最大集电极耗散功率  
最高结温  
W
W
75  
150  
贮存温度  
Tstg  
-55~+150  
pulse电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲。  
Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle < 10%.  
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC  
测试条件  
最小值  
典型值  
最大值  
单位  
Unit  
V
Parameter  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Value(min) Value(typ) Value(max)  
Tests conditions  
IC=10mA,IB=0  
400  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IC=1mA,IB=0  
450  
V
IE=1mA,IC=0  
9
-
-
V
VCB=450V, IE=0  
VCE=400V,IB=0  
VEB=9V, IC=0  
100  
50  
10  
50  
-
μA  
μA  
μA  
ICEO  
-
IEBO  
-
Hfe(1)  
Hfe(2)  
VCE(sat)(1)  
VCE(sat)(2)  
VBE(sat)  
tf  
VCE =10V, IC=0.5A  
VCE =5V, IC=2A  
IC=1A, IB=0.2A  
IC=4A, IB=1A  
IC=2A, IB=0.5A  
8
5
-
1.5  
2.0  
1.6  
0.7  
4
V
V
-
-
V
-
μS  
μS  
MHz  
VCC=24V IC=2A,IB1=-IB2=0.4A  
VCE=10V, IC=0.5A  
ts  
-
fT  
4
-
热特THERMAL CHARACTERISTIC  
符 号  
最小值  
最大值  
单 位  
Parameter  
Value(min) Value(max)  
Symbol  
Unit  
结到管壳的热TO-126  
Rth(j-c)  
Rth(j-c)  
-
-
3.125  
1.67  
/W  
/W  
Thermal Resistance Junction Case TO-126  
结到管壳的热TO-220  
Thermal Resistance Junction Case TO-220  
版本:200910C  
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3DD13005-BP MCC Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast

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