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3DD13005B5

更新时间： 2024-04-09 19:02:11

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TO-126A

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3DD13005B5 数据手册

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管

○

3DD13005 B5

产品概述

特征参数

产品特点

● 开关损耗低

符号

3DD13005 B5 是硅 NPN

额定值

450

单位

● 反向漏电流小

V_CEO

型功率开关晶体管，该产品

采用平面工艺和少子寿命

控制技术，提高了产品的击

穿电压、开关速度和可靠

性。

● 高温特性好

I_C

2.5

● 反向击穿电压高

P_tot（T_C=25℃）

● 可靠性高

封装 TO-126A

应用

● 充电器

● 适配器

● 一般功率开关电路

存储条件和焊接温度

内部结构图

存放有效期

存放条件

环境温度-10℃～40℃

相对湿度＜85％

极限耐焊接热

1 年

265℃

极限值（除非另有规定，T_a= 25℃）

参数名称

符号

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

额定值

750

450

单位

集电极-基极电压

集电极-发射极电压

发射极-基极电压

集电极直流电流

2.5

I_CM

集电极脉冲电流（tp＜5ms）

基极直流电流

I_B

1.25

2.5

I_BM

基极脉冲电流（tp＜5ms）

Ta=25℃

1.2

P_tot

耗散功率

Tc=25℃

T_j

150

-55～150

℃

结温

T_stg

贮存温度

热阻

参数名称

符号

最小值

典型值

最大值

单位

结到壳的热阻

R_θJC

2.5

℃/W

结到环境的热阻

R_θJA

104.1

℃/W

无锡华润华晶微电子有限公司

2015V01

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与3DD13005B5相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
3DD13005-BP	MCC	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格
3DD13005C3D	CRMICRO	TO-251	获取价格
3DD13005C7D	CRMICRO	TO-126F	获取价格
3DD13005C8D	CRMICRO	TO-220	获取价格
3DD13005D	JSMC	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR	获取价格
3DD13005D-O-M-N-C	JSMC	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR	获取价格