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30KP64

更新时间: 2024-02-23 13:56:45
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NJSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 391K
描述
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

30KP64 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-PALF-W2Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.7其他特性:EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE, PRSM-MIN
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值反向功率耗散:30000 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:8 W最大重复峰值反向电压:64 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

30KP64 数据手册

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