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30CTQ100GSTRLPBF

更新时间： 2024-01-26 11:29:26

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Rectifier Diode,

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30CTQ100GSTRLPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-263	包装说明：	R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.27	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	850 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	15 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

30CTQ100GSTRLPBF 数据手册

30CTQ...G

Bulletin PD-20687 11/05

1000

100

T = 175°C

150°C

125°C

100°C

75°C

50°C

25°C

0.1

0.01

0.001

0.0001

100

Reverse Voltage - V (V)

Fig.2-Typical Values Of Reverse Current

Vs. Reverse Voltage (PerLeg)

Tj = 175˚C

Tj = 125˚C

Tj = 25˚C

1000

T = 25°C

100

0.5

1.5

2.5

Reverse Voltage - V (V)

Forward Voltage Drop-V_FM(V)

Fig.3-Typical Junction Capacitance

Vs. Reverse Voltage (PerLeg)

Fig.1-Max. Forward Voltage Drop Characteristics

(PerLeg)

D = 0.75

D = 0.50

D = 0.33

D = 0.25

D = 0.20

0.1

Notes:

0.01

Single Pulse

(Thermal Resistance)

1. Duty factor D = t / t

2. Peak T = P_DMx Z

+ T

thJC

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

, Rectangular Pulse Duration (Seconds)

Fig.4-Max. Thermal Impedance Z_thJCCharacteristics (PerLeg)

www.irf.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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