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30CTQ100GSTRRP

更新时间： 2024-02-24 10:57:21
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
6页 111K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3

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30CTQ100GSTRRP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.48其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：HIGH POWER外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.69 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：650 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：30 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

30CTQ100GSTRRP 数据手册

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30CTQ...GSPbF, 30CTQ...G-1PbF  
Vishay High Power Products  
Schottky Rectifier, 2 x 15 A  
FEATURES  
30CTQ...G-1PbF  
30CTQ...GSPbF  
• 175 °C TJ operation  
• Center tap configuration  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
Base  
common  
cathode  
Base  
common  
cathode  
2
2
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
• Designed and qualified for industrial level  
2
2
1
Anode  
1
3
3
Common  
cathode  
Common  
cathode  
Anode  
Anode  
Anode  
DESCRIPTION  
D2PAK  
TO-262  
This center tap Schottky rectifier series has been optimized  
for low reverse leakage at high temperature. The proprietary  
barrier technology allows for reliable operation up to 175 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
2 x 15 A  
VR  
80 V/100 V  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
30  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
80/100  
650  
tp = 5 µs sine  
A
VF  
15 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.69  
V
TJ  
- 55 to 175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
30CTQ080GSPbF  
30CTQ080G-1PbF  
30CTQ100GSPbF  
30CTQ100G-1PbF  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
80  
100  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES UNITS  
Maximum average  
forward current  
See fig. 5  
per device  
per leg  
30  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 129 °C, rectangular waveform  
15  
A
Maximum peak one cycle non-repetitive  
surge current per leg  
See fig. 7  
Following any rated load  
condition and with rated  
5 µs sine or 3 µs rect. pulse  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
650  
IFSM  
210  
VRRM applied  
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 0.50 A, L = 60 mH  
7.50  
0.50  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 µs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 94191  
Revision: 09-Sep-09  
For technical questions, contact: diodestech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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