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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 30CTQ050STRLPBF
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30CTQ050STRLPBF

更新时间： 2024-11-25 06:18:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管
页数 文件大小 规格书
6页 134K
描述
Schottky Rectifier, 2 x 15 A

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30CTQ050STRLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.19其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：HIGH POWER外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.56 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：1000 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：50 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

30CTQ050STRLPBF 数据手册

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30CTQ...SPbF/30CTQ...-1PbF  
Vishay High Power Products  
Schottky Rectifier, 2 x 15 A  
FEATURES  
30CTQ...-1PbF  
30CTQ...SPbF  
• 150 °C TJ operation  
Available  
• Center tap configuration  
• Very low forward voltage drop  
• High frequency operation  
RoHS*  
COMPLIANT  
Base  
common  
cathode  
Base  
common  
cathode  
• High purity, high temperature epoxy encapsulation for  
enhanced mechanical strength and moisture resistance  
2
2
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
• Lead (Pb)-free (“PbF” suffix)  
• Designed and qualified for Q101 level  
2
2
1
1
3
3
Common  
Common  
cathode  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
cathode  
DESCRIPTION  
D2PAK  
TO-262  
This center tap Schottky rectifier has been optimized for very  
low forward voltage drop, with moderate leakage. The  
proprietary barrier technology allows for reliable operation up  
to 150 °C junction temperature. Typical applications are in  
switching power supplies, converters, freewheeling diodes,  
and reverse battery protection.  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
2 x 15 A  
50/60 V  
VR  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
30  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
50/60  
tp = 5 µs sine  
1000  
A
VF  
15 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.56  
V
TJ  
- 55 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
30CTQ050SPbF  
30CTQ050-1PbF  
30CTQ060SPbF  
30CTQ060-1PbF  
SYMBOL  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
50  
60  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES UNITS  
Maximum average  
forward current  
See fig. 5  
per device  
per leg  
30  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 105 °C, rectangular waveform  
15  
A
Maximum peak one cycle non-repetitive  
surge current per leg  
See fig. 7  
Following any rated load  
condition and with rated  
5 µs sine or 3 µs rect. pulse  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
1000  
IFSM  
260  
VRRM applied  
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 1.50 A, L = 11.5 mH  
13  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 µs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
1.50  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 94190  
Revision: 13-Aug-08  
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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