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300HFR80MBPBF

更新时间: 2024-11-24 13:04:27
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英飞凌 - INFINEON 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 144K
描述
暂无描述

300HFR80MBPBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-MUPM-H1Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.7其他特性:HIGH SURGE CAPABILITY
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-205AB
JESD-30 代码:O-MUPM-H1最大非重复峰值正向电流:5200 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:180 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:300 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:800 V表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

300HFR80MBPBF 数据手册

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Index  
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Bulletin I2021/A  
300HF(R) SERIES  
STANDARD RECOVERY DIODES  
Stud Version  
300A  
Features  
High current carrying capability  
High surge current capability  
Types up to 1200V VRRM  
Stud cathode and stud anode version  
Standard JEDEC types  
Diffused junction  
Typical Applications  
Battery chargers  
Converters  
Power supplies  
Machine tool controls  
Major Ratings and Characteristics  
Parameters  
IF(AV)  
300HF(R)  
300  
Units  
A
°C  
A
@ TC  
125  
470  
IF(RMS)  
IFSM  
@ 50Hz  
@ 60Hz  
@ 50Hz  
@ 60Hz  
5000  
A
5200  
A
I2t  
125  
KA2s  
KA2s  
V
113  
case style  
DO-205AB (DO-9)  
VRRM range  
TJ  
400 to 1200  
-40 to 180  
°C  
To Order  
 
 
 

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