Datasheet > 3.0SMCJ75

3.0SMCJ75

更新时间： 2024-11-15 07:42:59

品牌	Logo	应用领域
EIC		/
页数	文件大小	规格书
4页	53K
描述
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

3.0SMCJ75 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AB
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.67
最大击穿电压：	105.7 V	最小击穿电压：	83.3 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	最大非重复峰值反向功率耗散：	3000 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大重复峰值反向电压：	75 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

3.0SMCJ75 数据手册

Certificate TH97/10561QM

Certificate TW00/17276EM

SURFACE MOUNT TRANSIENT

VOLTAGE SUPPRESSOR

3.0SMCJ11 - 220A

Stand-off Voltage : 11 to 220V

Peak Pulse Power : 3000 W

SMC (DO-214AB)

1.1

0.3

FEATURES :

* 3000W peak pulse power capability with

a 10/1000µs waveform

* Excellent clamping capability

* Low inductance

* High temperature soldering : 250 °C/10

seconds at terminals.

3.0

5.8

0.2

± 0.07

0.15

2.3 ± 0.2

* Built-in strain relief

* Pb / RoHS Free

Dimensions in millimeter

MECHANICAL DATA

* Case : SMC Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Lead Formed for Surface Mount

* Mounting position : Any

* Weight : 0.21 gram

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bi-directional use C or CA Suffix

Electrical characteristics apply in both directions

MAXIMUM RATINGS

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Rating

Symbol

P_PPM

Value

Unit

Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000 µs waveform ^{(1) (2)}

Peak Pulse Current on 10/1000 s waveform ⁽¹⁾

3000

I_PPM

See Next Table

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load ⁽²⁾⁽³⁾

I_FSM

200

T_J, T_STG

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to + 150

°C

Notes :

(1) Non-repetitive Current pulse, per Fig. 3 and derated above Ta = 25 °C per Fig. 1

(2) Mounted on 5.0 mm2 (0.013 thick) land areas.

(3) Measured on 8.3 ms , single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle=4 pulses per minutes maximum.

Page 1 of 4

Rev. 05 : June 10, 2006

12 3 4

中文翻译

下载PDF

3.0SMCJ75 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SMLJ75A	BOURNS	功能相似	SMLJ Transient Voltage Suppressor Diode Series
SMLJ75A	MICROSEMI	功能相似	UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL SURFACE MOUNT

与3.0SMCJ75相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
3.0SMCJ75A	WTE	获取价格	3000W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
3.0SMCJ75A	TAITRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 75V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
3.0SMCJ75A	SURGE	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR VOLTAGE-5.0-170Volts
3.0SMCJ75A	FORMOSA	获取价格	SMD Transient Voltage Suppressor
3.0SMCJ75A	DIODES	获取价格	3000W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
3.0SMCJ75A	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR(VOLTAGE - 5.0 to 220 Volts 3000 Watt Peak Power
3.0SMCJ75A	TSC	获取价格	Surface Mount Transient Voltage Suppressor
3.0SMCJ75A	MDE	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
3.0SMCJ75A	DIOTECH	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
3.0SMCJ75A	EIC	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

与3.0SMCJ75相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

6
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

3
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

29
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

3.0SMCJ75

3.0SMCJ75 技术参数

3.0SMCJ75 数据手册

3.0SMCJ75 替代型号

与3.0SMCJ75相关器件

与3.0SMCJ75相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

3.0SMCJ75

3.0SMCJ75 技术参数

3.0SMCJ75 数据手册

3.0SMCJ75 替代型号

与3.0SMCJ75相关器件

与3.0SMCJ75相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？