3.0SMCJ110C

更新时间： 2024-11-27 07:38:19

品牌	Logo	应用领域
EIC		瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	53K
描述
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

3.0SMCJ110C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AB
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	最大击穿电压：	154.5 V
最小击穿电压：	122 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散：	3000 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压：	110 V	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

3.0SMCJ110C 数据手册

Certificate TH97/10561QM

Certificate TW00/17276EM

SURFACE MOUNT TRANSIENT

VOLTAGE SUPPRESSOR

3.0SMCJ11C - 220CA

Stand-off Voltage : 11 to 220V

Peak Pulse Power : 3000 W

SMC (DO-214AB)

0.060(1.52)

0.030(0.76)

FEATURES :

* 3000W peak pulse power capability with

a 10/1000µs waveform

* Excellent clamping capability

* Low inductance

* High temperature soldering : 250 °C/10

seconds at terminals.

0.008(0.203)

0.004(0.102)

0.121(3.07)

0.012(0.305)

0.115(2.92)

0.006(0.152)

0.103(2.62)

0.079(2.00)

0.245(6.22)

0.220(5.59)

* Built-in stran relief

* Pb / RoHS Free

MECHANICAL DATA

* Case : SMC Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Lead Formed for Surface Mount

* Mounting position : Any

Dimensions in inches and (millimeter)

* Weight : 0.21 gram

DEVICES FOR UNIPOLAR APPLICATIONS

For uni-directional without "C"

Electrical characteristics apply in both directions

MAXIMUM RATINGS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

Rating

Symbol

P_PPM

Value

3000

Unit

Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000 µs waveform ^{(1) (2)}

Peak Pulse Current on 10/1000 s waveform ⁽¹⁾

I_PPM

See Next Table

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load ⁽²⁾⁽³⁾

I_FSM

200

T_J, T_STG

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to + 150

°C

Notes :

(1) Non-repetitive Current pulse, per Fig. 3 and derated above Ta = 25 °C per Fig. 1

(2) Mounted on 5.0 mm2 (0.013 thick) land areas.

(3) Measured on 8.3 ms , single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.

Page 1 of 4

Rev. 04 : June 10, 2006

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与3.0SMCJ110C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
3.0SMCJ110CA	SURGE	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR VOLTAGE-5.0-170Volts
3.0SMCJ110CA	LGE	获取价格	3000W peak pulse power capability with 10/10
3.0SMCJ110CA	EIC	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
3.0SMCJ110CA	TAITRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 110V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
3.0SMCJ110CA	WEITRON	获取价格	3000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor
3.0SMCJ110CA	DIODES	获取价格	3000W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
3.0SMCJ110CA	DIOTECH	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
3.0SMCJ110CA	MDE	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
3.0SMCJ110CA	WTE	获取价格	3000W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
3.0SMCJ110CA	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR(VOLTAGE - 5.0 to 220 Volts 3000 Watt Peak Power

与3.0SMCJ110C相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

46
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

35
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

64
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

61

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

3.0SMCJ110C

3.0SMCJ110C 技术参数

3.0SMCJ110C 数据手册

与3.0SMCJ110C相关器件

与3.0SMCJ110C相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

3.0SMCJ110C

3.0SMCJ110C 技术参数

3.0SMCJ110C 数据手册

与3.0SMCJ110C相关器件

与3.0SMCJ110C相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？