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2SK543-4

更新时间: 2024-01-13 05:48:49
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 433K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | TO-236AB

2SK543-4 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.25Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:20 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.03 A
最大漏极电流 (ID):0.03 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK543-4 数据手册

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