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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.15 |
| 配置： | SINGLE | 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK360IGDUR | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2SK360IGDUR | RENESAS |
获取价格 |
VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, MPAK-3 |
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| 2SK360IGE01 | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SK360IGETL | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK360IGETL-E | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SK360IGETR | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2SK360IGETR-E | RENESAS |
获取价格 |
VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, MPAK-3 |
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| 2SK360IGF01 | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2SK360IGFTL | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK360IGFUR | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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