2SK3574-Z

更新时间： 2024-01-16 16:49:11

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	88K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK3574-Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MP-25ZK, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	雪崩能效等级（Eas）：	36 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	48 A
最大漏源导通电阻：	0.0135 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3574-Z 数据手册

2SK3574

★

PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)

1) TO-220AB(MP-25)

2) TO-262(MP-25 Fin Cut)

4.8 MAX.

10.6 MAX.

4.8 MAX.

1.3±0.2

10 TYP.

3.6±0.2

1.3±0.2

10.0 TYP.

2 3

1.3±0.2

2.8±0.2

0.5±0.2

0.75±0.3

2.54 TYP.

0.75±0.1

2.54 TYP.

0.5±0.2

1.Gate

2.Drain

3.Source

4.Fin (Drain)

2.8±0.2

1.Gate

2.Drain

3.Source

2.54 TYP.

4.Fin (Drain)

Note

4) TO-220SMD(MP-25Z)

3) TO-263(MP-25ZK)

4.8 MAX.

10 TYP.

10.0±0.2

4.45±0.2

1.3±0.2

0.4

1.3±0.2

No plating

8.4 TYP.

0.025 to

0.25

1.4±0.2

0.75±0.3

2.54 TYP.

0.5±0.2

2.54 TYP.

0.7±0.15

1.Gate

2.Drain

3.Source

2.54

0.25

4.Fin (Drain)

1.Gate

2.Drain

3.Source

4.Fin (Drain)

Note This package is produced only in Japan.

EQUIVALENT CIRCUIT

Drain

Remark The diode connected between the gate and

source of the transistor serves as a protector

against ESD. When this device actually used,

an additional protection circuit is externally

required if a voltage exceeding the rated voltage

may be applied to this device.

Body

Diode

Gate

Protection

Diode

Source

Data Sheet D16260EJ2V0DS

1...4 5 678

中文翻译

下载PDF

与2SK3574-Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3574-ZK	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3574-ZK	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3574-ZK-AZ	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3574-ZK-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3575	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3575	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3575	TYSEMI	获取价格	4.5V drive available. Low on-state resistance, RDS(on)1 = 4.5m MAX Low gate charge
2SK3575-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3575-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3575-ZK	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET