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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | MP-25ZK, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.69 | 雪崩能效等级（Eas）： | 36 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 48 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0135 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3574-ZK | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2SK3574-ZK | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2SK3574-ZK-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2SK3574-ZK-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2SK3575 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2SK3575 | KEXIN |
获取价格 |
MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK3575 | TYSEMI |
获取价格 |
4.5V drive available. Low on-state resistance, RDS(on)1 = 4.5m MAX Low gate charge |
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| 2SK3575-S | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2SK3575-Z | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2SK3575-ZK | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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