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2SK2882

更新时间: 2024-02-29 05:49:09
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
5页 292K
描述
SILICON N-CHANNEL MOS TYPE

2SK2882 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:End Of Life零件包装代码:SC-67
包装说明:LEAD FREE, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.36
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):176 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:150 V最大漏极电流 (Abs) (ID):18 A
最大漏极电流 (ID):18 A最大漏源导通电阻:0.18 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:45 W
最大功率耗散 (Abs):45 W最大脉冲漏极电流 (IDM):54 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK2882 数据手册

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