2SK1152(S)

更新时间： 2024-01-22 11:32:42

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日立 - HITACHI		/
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9页	51K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 500V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3/2

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2SK1152(S) 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.27	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.5 A
最大漏极电流 (ID)：	1.5 A	最大漏源导通电阻：	6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK1152(S) 数据手册

2SK1151(L)(S), 2SK1152(L)(S)

Static Drain to Source on State

Resistance vs. Drain Current

100

Drain to Source Saturation Voltage

vs. Gate to Source Voltage

Pulse Test

V_GS= 10 V

2 A

15 V

1 A

I_D= 0.5 A

0.05 0.1 0.2

0.5 1.0

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain Current I_D(A)

Forward Transfer Admittance

vs. Drain Current

Static Drain to Source on State

Resistance vs. Temperature

I_D= 2 A

V_DS= 20 V

Pulse Test

_GS= 10 V

Pulse Test

–25°C

1.0

T_C= 25°C

1 A

0.5 A

0.5

75°C

0.2

0.1

–40

120

160

0.1 0.2

0.5 1.0

0.05

Drain Current I_D(A)

Case Temperature T_C(°C)

1 2 3 456 7 8 9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SK1152(S)TL	HITACHI	暂无描述	获取价格
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2SK1152(S)TR	RENESAS	1.5 A, 500 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	获取价格
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2SK1152L	RENESAS	Silicon N Channel MOS FET	获取价格