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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.37 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.1 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 8.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ587 | HITACHI | Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching |
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| 2SJ588 | HITACHI | Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching |
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| 2SJ589 | SANYO | DC / DC Converter Applications |
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| 2SJ589LS | SANYO | DC / DC Converter Applications |
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| 2SJ590 | SANYO | DC / DC Converter Applications |
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| 2SJ590LS | SANYO | DC / DC Converter Applications |
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