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2SJ581

更新时间： 2024-02-27 03:15:58

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日电电子 - NEC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	36K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.185ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-10, ISOLATED TO-220, 3 PIN

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2SJ581 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.21	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.185 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ581 数据手册

2SJ581

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T^A= 25°C)

CHARACTERISTICS

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

Drain Leakage Current

I^DSS

I^GSS

V^GS(off)

| y^fs|

R^DS(on)1

R^DS(on)2

C^iss

V^DS= −60 V, V^GS= 0 V

−10

±10

−2.0

µA

Gate Leakage Current

V^GS= ±10 V, V^DS= 0 V

V^DS= −10 V, I^D= −1.0 mA

V^DS= −10 V, I^D= −6 A

Gate Cut-off Voltage

−1.0

Forward Transfer Admittance

Drain to Source On-state Resistance

5.0

V^GS= −10 V, I^D= −6 A

120

1210

520

180

100

185

mΩ

V^GS= −4 V, I^D= −6 A

Input Capacitance

V^DS= −10 V, V^GS= 0 V, f = 1 MHz

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Turn-on Delay Time

Rise Time

C^oss

C^rss

t^d(on)

t^r

t^d(off)

t^f

I^D= −6 A, V^GS(on)= −10 V,

V^DD= −30 V,

130

R^G= 10 Ω

Turn-off Delay Time

Fall Time

Total Gate Charge

Gate to Source Charge

Gate to Drain Charge

Diode Forward Voltage

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

Q^G

I^D= −12 A, V^DD= −48 V,

V^GS(on)= −10 V

Q^GS

Q^GD

V^F(S-D)

t^rr

8.0

I^F= −12 A, V^GS= 0 V

I^F= −12 A, V^GS= 0 V,

di/dt = 100 A/µs

1.0

120

230

Q^rr

TEST CIRCUIT 1 SWITCHING TIME

TEST CIRCUIT 2 GATE CHARGE

D.U.T.

= −2 mA

GS(−)

10 %

90 %

Wave Form

GS(on)

PG.

50 Ω

R = 10 Ω

90 %

ID(−)

GS(−)

10 %

Wave Form

d(on)

td(off)

toff

τ = 1µ s

Duty Cycle ≤ 1 %

Preliminary Product Information D14113EJ1V0PM00

123 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ581-AZ	RENESAS	12A, 60V, 0.185ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MP-10, ISOLATED TO-220, 3 PIN	获取价格
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