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2SJ552(S)-(2)

更新时间： 2024-01-25 21:57:58

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瑞萨 - RENESAS		/
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12页	60K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,20A I(D),TO-263AB

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2SJ552(S)-(2) 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SJ552(S)-(2) 数据手册

2SJ552(L),2SJ552(S)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_DSS

Ratings

–60

Unit

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

V_GSS

I_D

±20

–20

Note1

Drain peak current

I_D(pulse)

–80

Body-drain diode reverse drain current I_DR

–20

Note3

Avalanche current

Avalanche energy

Channel dissipation

Channel temperature

Storage temperature

I_AP

–20

E_AR

°C

Pch ^Note2

Tch

150

Tstg

–55 to +150

Note: 1. PW ≤ 10µs, duty cycle ≤ 1 %

2. Value at Tc = 25°C

3. Value at Tch = 25°C, Rg ≥ 50 Ω

123 4 5 6 7...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SJ552L	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ552L-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ552S	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
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2SJ552STL-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格