2SJ532

更新时间： 2024-01-25 04:30:23

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Silicon P Channel MOS FET

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2SJ532 数据手册

2SJ532

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

Maximum Avalanche Energy vs.

Channel Temperature Derating

–50

–40

–30

–20

–10

I_AP= –20 A

V_DD= –25 V

duty < 0.1 %

Rg ≥ 50 Ω

–10 V

V_GS= 0, 5 V

–5 V

Pulse Test

–1.2 –1.6 –2.0

–0.4

–0.8

100

125

150

Source to Drain Voltage V_SD(V)

Channel Temperature Tch (°C)

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

Tc = 25°C

D = 1

0.5

0.3

0.1

θch – c (t) = γ s (t) • θch – c

θch – c = 4.17°C/W, Tc = 25°C

D =

P_DM

0.03

0.01

10 µ

100 µ

1 m

10 m

100 m

Pulse Width PW (S)

Avalanche Test Circuit

Avalanche Waveform

V_DSS

E_AR

• L • I_AP•

V_DS

Monitor

V_DSS– V_DD

I_AP

Monitor

V_(BR)DSS

I_AP

V_DD

D.U.T

V_DS

I_D

Vin

–15 V

50 Ω

V_DD

Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 5 of 7

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