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2SJ532

更新时间： 2024-01-26 08:39:16
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页 88K
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Silicon P Channel MOS FET

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2SJ532  
Static Drain to Source on State Resistance  
vs. Temperature  
Forward Transfer Admittance vs.  
Drain Current  
100  
30  
10  
3
0.20  
Pulse Test  
0.16  
0.12  
0.08  
0.04  
0
–5 A  
–10 A  
ID = –20 A  
Tc = –25°C  
25°C  
75°C  
VGS = –4 V  
1
–20 A  
0.3  
0.1  
–5 A, –10 A  
VDS = –10 V  
Pulse Test  
–10 V  
0
–40  
40  
80  
120  
160  
–0.1 –0.3  
–1  
–3  
–10 –30 –100  
Case Temperature Tc (°C)  
Drain Current ID (A)  
Body-Drain Diode Reverse  
Recovery Time  
Typical Capacitance vs.  
Drain to Source Voltage  
1000  
500  
10000  
Pulse Test  
3000  
1000  
Ciss  
200  
100  
50  
Coss  
300  
100  
Crss  
30  
10  
20  
10  
di / dt = 50 A / µs  
GS = 0, Ta = 25°C  
VGS = 0  
f = 1 MHz  
V
–0.1 –0.3  
–1  
–3  
–10 –30 –100  
0
–10  
–20  
–30  
–40  
–50  
Reverse Drain Current IDR (A)  
Drain to Source Voltage VDS (V)  
Dynamic Input Characteristics  
Switching Characteristics  
0
–20  
1000  
500  
0
VGS = –10 V, VDD = –30 V  
PW = 10 µs, duty ≤ 1 %  
VDD = –10 V  
–25 V  
–50 V  
–4  
t
d(off)  
200  
100  
50  
–40  
VGS  
–8  
t
f
VDS  
–60  
–12  
–16  
–20  
VDD = –10 V  
–25 V  
–50 V  
t
r
–80  
t
20  
10  
d(on)  
ID = –20 A  
–100  
0
16  
32  
48  
64  
80  
–0.1 –0.3  
–1  
–3  
–10 –30 –100  
Gate Charge Qg (nc)  
Drain Current ID (A)  
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 4 of 7  
12345678

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