2SJ506(S)TL

更新时间： 2024-01-25 03:12:24

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日立 - HITACHI		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
10页	53K
描述
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SJ506(S)TL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	DPAK(S)	包装说明：	,
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2SJ506(S)TL 数据手册

2SJ506(L), 2SJ506(S)

Drain to Source Saturation Voltage vs.

Gate to Source Voltage

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Drain Current

–2

–1.6

–1.2

–0.8

–0.4

1000

Pulse Test

500

200

= –4 V

100

–10 V

I = –10 A

–5 A

–2 A

Pulse Test

–100

–50

–4

–8

–12

–16

–20

–10 –20

–5

–2

–1

Drain Current

(A)

Gate to Source Voltage

(V)

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Temperature

Forward Transfer Admittance vs.

Drain Current

100

200

–5 A

Pulse Test

= –10 A

160

120

= –4 V

–2 A

Tc = –25 °C

25 °C

–10 A

–2,–5 A

75 °C

= –10 V

Pulse Test

–40

0.5

–0.2

–0.1

–0.5

–1 –2 –5

–20

–50

–10

(A)

120

160

Case Temperature Tc (°C)

Drain Current I

1 2 3 456 7 8...10

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与2SJ506(S)TL相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ506(S)TR	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SJ506(S)TR	RENESAS	暂无描述	获取价格
2SJ506L	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SJ506L	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ506L-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ506S	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格