2SJ280(S)TR

更新时间： 2024-02-16 19:49:32

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日立 - HITACHI		/
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2SJ280(S)TR 数据手册

2SJ280 L , 2SJ280 S

Maxmum Avalanche Energy vs.

Channel Temperature Derating

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

100

–50

I_AP= –30 A

V_DD= –25 V

Pulse Test

V_GS= –10 V

–40

–30

duty < 0.1%

Ω

Rg 50

–20

–10

–5 V

0, 5V

–0.4 –0.8 –1.2 –1.6 –2.0

Source to Drain Voltage V_SD(V)

100

125

150

Channel Temperature Tch (°C)

Avalanche Test Circuit and Waveform

V_DSS

E_AR

• L • I_AP•

– V_DD

V_DS

Monitor

I_AP

Monitor

V_(BR)DSS

I_AP

V_DD

D.U.T

V_DS

I_D

Vin

–15 V

50Ω

V_DD

1...3 4 567 8

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与2SJ280(S)TR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ280L	HITACHI	获取价格	SILICON P-CHANNEL MOS FET
2SJ280L-E	RENESAS	获取价格	Pch Single Power MOSFET -60V -30A 43mohm LDPAK(L)
2SJ280S	HITACHI	获取价格	SILICON P-CHANNEL MOS FET
2SJ281	SANYO	获取价格	Very High-Speed Switching Applications
2SJ281FA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-252VAR
2SJ282	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-220AB
2SJ284	SANYO	获取价格	Very High-Speed Switching Applications
2SJ285	SANYO	获取价格	Very High-Speed Switching Applications
2SJ286	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 150MA I(D) \| TO-236
2SJ286(CM)TB	ONSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met