2SJ245(S)TR

更新时间： 2024-01-01 20:15:20

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		/
页数	文件大小	规格书
7页	42K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.38ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SJ245(S)TR 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.32	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.38 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

2SJ245(S)TR 数据手册

2SJ245 L , 2SJ245 S

Maximum Safe Operation Area

Power vs. Temperature Derating

–100

Operation in this area is

limited by R

DS(on)

10 µs

–30

–10

–3

–1

–0.3

–0.1

Ta = 25°C

–0.3 –1

Drain to Source Voltage

100

150

–3

–10 –30 –100

Case Temperature Tc (°C)

(V)

Typical Transfer Characteristics

Typical Output Characteristics

–6 V

–5 V

–10

–8

–6

–4

–2

–5

–4

–3

–2

–1

–10 V

25°C

–4 V

Pulse test

–3.5 V

Tc = –25°C

75°C

Pulse test

= –10 V

–3 V

= –2.5 V

–2

–4

–6

–8

–10

–1

–2

–3

–4

–5

Drain to Source Voltage

(V)

Gate to Source Voltage

(V)

1 234 5 6 7

下载PDF

与2SJ245(S)TR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ245L	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET	获取价格
2SJ245S	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET	获取价格
2SJ246	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET	获取价格
2SJ246(L)	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-251AA	获取价格
2SJ246(S)	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-252AA	获取价格
2SJ246(S)TL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格