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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-62 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.85 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 40 pF | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ238TE12L | TOSHIBA | TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| 2SJ238TE12R | TOSHIBA | TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| 2SJ239 | TOSHIBA | TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SJ239LBTE16L | TOSHIBA | TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.25 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3, FET General Purpose |
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| 2SJ239LBTE16R | TOSHIBA | TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.25 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3, FET General Purpose |
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| 2SJ239TE16L | TOSHIBA | TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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