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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.09 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 100 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ241TE24R | TOSHIBA | TRANSISTOR 20 A, 60 V, 0.09 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SJ242L | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-251VAR |
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| 2SJ242S | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252VAR |
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| 2SJ243 | NEC | P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING |
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| 2SJ243-A | NEC | 暂无描述 |
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| 2SJ243-T2 | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,100MA I(D),SC-75 |
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