2SJ221

更新时间： 2024-02-05 21:35:53

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
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Silicon P Channel MOS FET

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2SJ221 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.22 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ221 数据手册

2SJ221

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Case Temperature

Forward Transfer Admittance vs.

Drain Current

100

1.0

Pulse Test

–25°C

0.8

0.6

0.4

0.2

Tc = 25°C

I_D= –20 A

–5 V, –10 A

V_GS= –4 V

75°C

0.3

0.1

–20 A

–5 V, –10 A

80 120

V_DS= –10 V

Pulse Test

–10 V

–40

160

–0.1 –0.3

–1

–3

–10 –30 –100

Case Temperature Tc (°C)

Drain Current I_D(A)

Body-Drain Diode Reverse

Recovery Time

Typical Capacitance vs.

Drain to Source Voltage

5000

3000

10000

3000

1000

Ciss

1000

Coss

300

100

300

100

Crss

di / dt = 50 A / µs

V_GS= 0, Ta = 25°C

V_GS= 0

f = 1 MHz

–0.1 –0.3

–1

–3 –10 –30 –100

–10

–20

–30

–40 –50

Reverse Drain Current I_DR(A)

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Dynamic Input Characteristics

Switching Characteristics

–20

5000

3000

V_DD= –10 V

–25 V

–50 V

V_GS= –10 V, V_DD= –30 V

PW = 2 µs, duty ≤ 1 %

–4

1000

d(off)

–40

–8

300

100

V_DD= –50 V

–25 V

–10 V

V_DS

V_GS

–60

–12

–16

–20

–80

d(on)

I_D= –20 A

Gate Charge Qg (nc)

–100

100

–0.1 –0.3

–1

–3

–10 –30 –100

Drain Current I_D(A)

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 4 of 6

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