2SJ221

更新时间： 2024-02-23 08:22:09

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
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7页	81K
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Silicon P Channel MOS FET

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2SJ221 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.22 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ221 数据手册

2SJ221

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

–50

–40

–30

–20

–10

Pulse Test

–

10 V

–

5 V

V_GS= 0, 5 V

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

Source to Drain Voltage V_SD(V)

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

Tc = 25°C

D = 1

0.5

0.3

0.1

θch – c (t) = γ s (t) • θch – c

θch – c = 1.67°C/W, Tc = 25°C

D =

P_DM

0.03

0.01

1shot pulse

10 µ

100 µ

1 m

10 m

100 m

Pulse Width PW (S)

Switching Time Test Circuit

Waveform

Vin

Vout

Monitor

Vin Monitor

10%

D.U.T.

90%

R_L

90%

V_DD

= –30 V

Vin

–10 V

50 Ω

10%

Vout

d(on)

d(off)

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6

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2SJ223S	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-252VAR	获取价格