2SJ221

更新时间： 2024-01-26 13:55:28

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	81K
描述
Silicon P Channel MOS FET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SJ221 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.22 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ221 数据手册

2SJ221

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Value

–100

±20

Unit

–20

Note 1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

–80

Body to drain diode reverse drain current

Channel dissipation

I_DR

Pch ^{Note 2}

Tch

–20

°C

Channel temperature

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at Tc = 25°C

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V _{(BR) DSS}

V _{(BR) GSS}

I_GSS

Min

–100

±20

—

Typ

—

Max

Unit

Test Conditions

Drain to source breakdown voltage

Gate to source breakdown voltage

Gate to source leak current

—

I_D= –10 mA, V_GS= 0

I_G= ±100 µA, V_DS= 0

V_GS= ±16 V, V_DS= 0

V_DS= –80 V, V_GS= 0

I_D= –1 mA, V_DS= –10 V

I_D= –10 A, V_GS= –10 V ^{Note 3}

I_D= –10 A, V_GS= –4 V ^{Note 3}

I_D= –10 A, V_DS= –10 V ^{Note 3}

V_DS= –10 V

—

±10

–250

–2.0

0.16

0.22

—

µA

Zero gate voltage drain current

Gate to source cutoff voltage

Static drain to source on state resistance

I_DSS

—

V_{GS (off)}

R_{DS (on)}

|y_fs|

–1.0

—

0.12

0.16

Ω

—

Ω

Forward transfer admittance

Input capacitance

7.5

—

Ciss

1800

680

145

—

_GS= 0

Output capacitance

Coss

Crss

t_{d (on)}

t_r

—

f = 1 MHz

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

—

I_D= –10 A

V_GS= –10 V

R_L= 3 Ω

Rise time

—

115

320

170

–1.05

280

—

Turn-off delay time

t_{d (off)}

t_f

—

Fall time

—

Body to drain diode forward voltage

Body to drain diode reverse recovery time

V_DF

—

I_F= –20 A, V_GS= 0

di_F/dt = 50 A/µs

t_rr

—

Note: 3. Pulse test

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 2 of 6

123 4 5 6 7

下载PDF

与2SJ221相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ221-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ222	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ222	HITACHI	Silicon P-Channel MOS FET	获取价格
2SJ222-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ223L	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-251VAR	获取价格
2SJ223S	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-252VAR	获取价格

与2SJ221相关文章

ADS1256的资料手册解读、采集电压范围、读数变化原因分析及实际测量遇到的问题
2024-05-14

5
MAX6675资料手册参数详解、引脚配置说明
2024-05-13

12
LM258引脚图及功能介绍、主要参数分析
2024-05-13

7
CD4052资料手册参数详解、引脚配置说明
2024-05-13

7

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SJ221

2SJ221 技术参数

2SJ221 数据手册

与2SJ221相关器件

与2SJ221相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SJ221

2SJ221 技术参数

2SJ221 数据手册

与2SJ221相关器件

与2SJ221相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？