2SJ221

更新时间： 2024-01-13 15:55:25

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	81K
描述
Silicon P Channel MOS FET

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2SJ221 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.22 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ221 数据手册

2SJ221

Package Dimensions

JEITA Package Code

SC-46

RENESAS Code

PRSS0004AC-A

Package Name

MASS[Typ.]

1.8g

Unit: mm

TO-220AB / TO-220ABV

11.5 Max

10.16 0.2

4.44 0.2

9.5

8.0

+0.1

–0.08

1.26 0.15

φ 3.6

2.7 Max

1.5 Max

0.76 0.1

2.54 0.5

0.5 0.1

2.54 0.5

Ordering Information

Part Name

Quantity

Shipping Container

2SJ221-E

500 pcs

Box (Sack)

Note: For some grades, production may be terminated. Please contact the Renesas sales office to check the state of

production before ordering the product.

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 6 of 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SJ223S	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-252VAR	获取价格