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2SD882SP

更新时间： 2024-02-23 18:31:14

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Transistor

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2SD882SP 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	3 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	160
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

2SD882SP 数据手册

UTC2SD882S

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

MEDIUM POWER LOW VOLTAGE

TRANSISTOR

FEATURES

*High current output up to 3A

*Low saturation voltage

*Complement to 2SB772S

APPLICATIONS

* Audio power amplifier

* DC-DC convertor

* Voltage regulator

TO-92

1:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS _{(Ta=25°C ,unless otherwise specified )}

PARAMETERS

Collector-base voltage

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

RATING

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector dissipation( Ta=25°C)

Collector current(DC)

Collector current(PULSE)

Base current

0.5

I_B

0.6

Junction Temperature

Storage Temperature

T_j

T_STG

150

-55 ~ +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS _{(Ta=25°C,unless otherwise specified)}

PARAMETER

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITIONS

V_CB=30V,I_E=0

MIN TYP MAX UNIT

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain(note 1)

1000

I_EBO

h_FE1

h_FE2

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

V_EB=3V,Ic=0

_CE=2V,Ic=20mA

V_CE=2V,Ic=1A

Ic=2A,I_B=0.2A

200

150

0.3

1.0

100

400

0.5

2.0

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Current gain bandwidth product

Output capacitance

V_CE=5V,Ic=0.1A

V_CB=10V,I_E=0,f=1MHz

MHz

Cob

Note 1:Pulse test:PW<300µs,Duty Cycle<2%

UTC

UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R201-024,A

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