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2SD882

更新时间： 2025-09-22 18:53:39

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南晶电子 - DGNJDZ		/
页数	文件大小	规格书
4页	3136K
描述
Pcm(mW) : 2; Ic(mA) : 3; BVCBO(V) : 40; BVCEO(V) : 30; BVEBO(V) : 6; Min : 60; Max : 400; VCE (sat) (v) : 0.5; Package Outline : TO-220;

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2SD882 数据手册

DONGGUAN NANJING ELECTRONICS LTD.,

TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors

2SD882 ^{TRANSISTOR (NPN)}

TO-220-3L

FEATURES

v Power Dissipation

1 .EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ

Equivalent Circuit

D882ꢀ'ꢁ#ꢂ"ꢁꢃ"ꢄꢅꢁꢃ

XXXX=Code

D882

XXXX

MAXIMUM RATINGS (T^a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

P_C

Operation Junction and

Storage Temperature Range

T_J,T_stg

-55-150

℃

1/4

Dongguan Nanjing Electronics Ltd.

www.dgnjdz.com

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