2SD789

更新时间： 2024-02-14 11:25:34

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	156K
描述
Silicon NPN Epitaxial

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2SD789 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.44	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SD789 数据手册

2SD789

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Min

100

Typ

—

Max

—

Unit

Test conditions

I_C= 10 µA, I_E= 0

Collector to base breakdown voltage

Collector to emitter breakdown voltage

Emitter to base breakdown voltage

Collector cutoff current

—

I_C= 1 mA, R_BE= ∞

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CB= 80 V, I_E= 0

V_EB= 6 V, I_C= 0

—

µA

Emitter cutoff current

I_EBO

—

0.2

800

0.3

—

DC current transfer ratio

h_FE

160

—

V_CE= 2 V, I_C= 0.1A

I_C= 1 A, I_B= 0.1 A

Collector to emitter saturation voltage

Gain bandwidth product

V_CE(sat)

f_T

—

100

MHz V_CE= 2 V, I_C= 10 mA

pF V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1MHz

Collector output capacitance

Cob

—

Note: 1. The 2SD789 is grouped by h_FEas follows.

160 to 320

250 to 500

400 to 800

Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 2 of 5

123 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD789B	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92VAR	获取价格
2SD789-B	RENESAS	SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
2SD789BTZ	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92MOD,	获取价格
2SD789BTZ	RENESAS	1000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92MOD, 3 PIN	获取价格
2SD789C	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92VAR	获取价格
2SD789-C	RENESAS	暂无描述	获取价格