2SD789RR

更新时间： 2024-10-01 13:04:23

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	156K
描述
1000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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2SD789RR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SD789RR 数据手册

2SD789

Silicon NPN Epitaxial

REJ03G0772-0300

(Previous ADE-208-1140A)

Rev.3.00

Aug.10.2005

Application

•

Low frequency power amplifier

Complementary pair with 2SB740

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DC-A

(Package name: TO-92 Mod)

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

100

Unit

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

0.9

150

°C

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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