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2SD788

更新时间： 2024-02-02 09:54:14

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Silicon NPN epitaxial planar type

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2SD788 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SD788 数据手册

2SD788

Silicon NPN epitaxial planar type

For low-frequency power amplification

For stroboscope

Unit: mm

5.0 0.2

4.0 0.2

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Satisfactory operation performances at high efficiency with the low-

voltage power supply.

0.7 0.1

DIM MILLIMETERS

4.70 MAX

4.80 MAX

3.70 MAX

0.45

1.00

1.27

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

0.45

0.85

0.45

14.00 +0.50

0.55 MAX

2.30

+0.15

–0.1

+0.15

–0.1

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

0.45

+0.6

2.5

–0.2

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

2.5

–0.2

0.45 MAX

1:¹E^.0m⁰itter

2: Collector

3: Base

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

Peak collector current

I_CP

900

TO-92 Package

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

°C

T_j

150

TO-92

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_C= 1 mA, I_B= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CB= 16 V, I_E= 0

V_CE= 10 V, I_B= 0

V_EB= 6 V, I_C= 0

V_CE= 2 V, I_C= 0.1A

V_CE= 2 V, I_C= 1 A

µA

I_CEO

I_EBO

0.2

700

h_FE1

100

h_FE2

150

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= 1 A, I_B= 0.1 A

0.3

f_T

V_CB= 2 V, I_C= 1 0 mA

100

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Rank classification

CLASSIFICATION OF hFE2

RANK

.....B

....C

RANGE

100-300

250-500

400-700

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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