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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD596
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2SD596

更新时间： 2024-01-11 20:09:48
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 294K
描述
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)

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2SD596 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.39最大集电极电流 (IC)：0.7 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e6元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：170 MHzBase Number Matches：1

2SD596 数据手册

 浏览型号2SD596的Datasheet PDF文件第2页 
RECTRON  
TECHNICAL SPECIFICATION  
SEMICONDUCTOR  
2SD596  
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS  
TRANSISTOR(PNP)  
FEATURES  
* Power dissipation  
PCM :  
0.2  
0.7  
30  
W (Tamb=25OC)  
Collector current  
ICM :  
Collector-base voltage  
*
*
*
A
V
:
V
(BR)CBO  
SOT-23  
Operating and storage junction temperature range  
T ,Tstg: -55OC to +150OC  
J
COLLECTOR  
3
0.055(1.40)  
0.047(1.20)  
BASE  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
1
2
EMITTER  
* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.043(1.10)  
0.035(0.90)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
* Weight: 0.008 gram  
0.100(2.55)  
0.089(2.25)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
1
2
0.019(2.00)  
0.071(1.80)  
0.118(3.00)  
0.110(2.80)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
3
Dimensions in inches and (millimeters)  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25 C unless otherwise noted )  
CHARACTERISTICS  
Collector-base breakdown voltage (I = 100µA, I =0)  
SYMBOL  
MIN  
30  
TYP  
-
MAX  
-
UNITS  
V
V
V
V
V
C
E
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
-
-
25  
-
-
Collector-emitter breakdown voltage (I = 1mA, I =0)  
C
B
Emitter-base breakdown voltage (I = 100µA, I =0)  
E
C
5
-
V
-
-
-
µA  
Collector cut-off current (V = 30V, I =0)  
I
0.1  
0.1  
CB  
E
CBO  
-
Emitter cut-off current (V = 5V, I =0)  
I
µA  
EB  
C
EBO  
*
110  
400  
-
-
-
DC current gain (V = 1V, I = 100mA)  
h
h
CE  
C
FE(1)  
*
-
DC current gain (V = 1V, I = 700mA)  
CE  
C
50  
-
FE(2)  
*
Collector-emitter saturation voltage (I = 700mA, I = 70mA)  
V
CE(sat)  
-
-
-
0.6  
0.7  
-
V
V
C
B
Base-emitter voltage (V = 6V, I = 10mA)  
V
BE(on)  
*
0.6  
140  
CE  
C
Transition frequency (V = 6V, I = 10mA)  
f
MHz  
CE  
C
T
*
Pulse teat: Pulse width <350µs, Duty Cycle <2%.  
CLASSIFICATION OF h  
FE  
DV5  
250-400  
2006-3  
DV3  
170-270  
DV2  
DV4  
RANK  
Range  
DV1  
110-180  
135-220  
200-320  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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