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2SD596A-DV2

更新时间： 2024-01-11 21:25:11
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 535K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINI MOLD PACKAGE-3

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2SD596A-DV2 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：MINI MOLD PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.88最大集电极电流 (IC)：0.7 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：135JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：170 MHz

2SD596A-DV2 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
2SD596A  
AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER  
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR  
MINI MOLD  
FEATURES  
• Complementary to NEC 2SB624 PNP Transistor.  
• High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. (VCE = 1.0 V, IC = 100 mA)  
PACKAGE DRAWING  
(Unit: mm)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PT  
Tj  
30  
25  
5.0  
700  
200  
150  
V
V
V
mA  
mW  
°C  
Storage Temperature Range  
Tstg  
−55 to +150 °C  
1. Emitter  
2. Base  
3. Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
SYMBOL  
ICBO  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
100  
UNIT  
nA  
TEST CONDITIONS  
VCB = 30 V, IE = 0 A  
VEB = 5.0 V, IC = 0 A  
VCE = 1.0 V, IC = 100 mA Note  
VCE = 1.0 V, IC = 700 mA Note  
IC = 700 mA, IB = 70 mA Note  
VCE = 6.0 V, IC = 10 mA Note  
VCE = 6.0 V, IE = −10 mA  
IEBO  
100  
nA  
hFE1  
110  
50  
200  
400  
hFE2  
Collector Saturation Voltage  
Base to Emitter Voltage  
Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
VCE(sat)  
VBE  
0.22  
640  
170  
12  
0.6  
V
600  
700  
mV  
MHz  
pF  
fT  
Cob  
VCB = 6.0 V, IE = 0 A, f = 1.0 MHz  
Note Pulsed: PW ≤ 350 μs, Duty Cycle ≤ 2%  
hFE1 CLASSIFICATION  
Marking  
DV1  
DV2  
DV3  
170 to 270  
DV4  
DV5  
250 to 400  
hFE  
110 to 180  
135 to 220  
200 to 320  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics  
sales representative for availability and additional information.  
Document No. D17880EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published December 2005 NS CP(K)  
Printed in Japan  
c
2005  
1234

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