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2SD568

更新时间： 2024-01-04 04:56:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	231K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SD568 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD568

DESCRIPTION

·High Collector Current:: I_C= 7A

·Low Collector Saturation Voltage

: V_CE(sat)= 0.5V(Max)@I_C= 5A

·Complement to Type 2SB707

APPLICATIONS

·Designed for low-frequency power amplifiers and low-speed

switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

I_CM

3.5

I_B

Total Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

Total Power Dissipation

@ T_a=25℃

T_J

Junction Temperature

150

℃

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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