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2SD313

更新时间： 2024-02-25 00:43:07

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD313 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SD313 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD313

CHARACTERISTICS

Tj=25ꢀ unless otherwise specified

SYMBOL

V_CEO

V_CEsat

V_BE

PARAMETER

CONDITIONS

I_C=10mA; I_B=0

MIN

TYP.

MAX

UNIT

Collector-emitter voltage

Collector-emitter saturation voltage I_C=2A; I_B=0.2A

1.0

1.5

0.1

Base-emitter on voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

I_C=1A ; V_CE=2V

V_CB=60V; I_E=0

V_CE=60V; I_B=0

V_EB=5V; I_C=0

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE-1

h_FE-2

f_T

I_C=1A ; V_CE=2V

I_C=0.1A ; V_CE=2V

I_C=0.5A ; V_CE=5V

320

DC current gain

Transition frequency

MHz

ꢀ h_FE-1Classifications

40-80

60-120

100-200 160-320

123

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