5秒后页面跳转
2SD313D PDF预览

2SD313D

更新时间: 2024-09-22 23:20:31
品牌 Logo 应用领域
统懋 - MOSPEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 118K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB

2SD313D 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.61
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):3 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):60
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):30 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO标称过渡频率 (fT):5 MHz
Base Number Matches:1

2SD313D 数据手册

 浏览型号2SD313D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD313D的Datasheet PDF文件第3页 
A

与2SD313D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD313-D-TA3-T UTC

获取价格

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
2SD313E ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB
2SD313-E-TA3-T UTC

获取价格

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
2SD313F ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB
2SD313-F-TA3-T UTC

获取价格

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
2SD313G-C-TA3-T UTC

获取价格

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SD313G-C-TF3-T UTC

获取价格

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SD313G-D-TA3-T UTC

获取价格

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SD313G-X-TA3-T UTC

获取价格

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
2SD313G-X-TF3-T UTC

获取价格

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR