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2SD1843L

更新时间： 2024-01-06 01:33:38

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	76K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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2SD1843L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.51	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	70 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	4000	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SD1843L 数据手册

DATA SHEET

DARLINGTON POWER TRANSISTOR

2SD1843

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)

FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SD1843 is a Darlington connection transistor with on-chip

dumper diode in collector to emitter and zener diode in collector to

base. This transistor is ideal for use in acuator drives such as

motors, relays, and solenoids.

FEATURES

•

High DC current gain due to Darlington connection

High surge resistance due to on-chip protection elements:

C to E: Dumper diode

C to B: Zener diode

•

Low collector saturation voltage

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Ratings

60 10

7.0

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

V^CBO

V^CEO

V^EBO

1.0

I^C(DC)

2.0

I^C(pulse)*

P^{T(Ta = 25°C)}

T^j

1.0

°C

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

DC current gain

Symbol

Conditions

MIN.

TYP.

MAX.

0.5

1.0″

Unit

µA

I^CBO

V^CB= 40 V, I^E= 0

I^EBO

V^EB= 5.0 V, I^C= 0

h^FE2**

V^CE(sat)**

V^BE(sat)**

t^ON

V^CE= 2.0 V, I^C= 0.2 A

V^CE= 2.0 V, I^C= 0.5 A

I^C= 0.5 A, I^B= 0.5 mA

I^C= 0.5 A, R^L= 100 Ω

I^B1= −I^B2= 0.1 mA, V^CC= 50 V

1000

2000

DC current gain

30000

1.5

Collector saturation voltage

Base saturation voltage

Turn-on time

µs

2.0

0.5

1.0

Storage time

t^stg

Fall time

t^f

* *Pulse test PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2%

h^FECLASSIFICATION

Marking

h^FE2

2000 to 5000

4000 to 10000

8000 to 30000

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16200EJ1V0DS00

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4

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与2SD1843L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1843-L	RENESAS	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1843L-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1843M	NEC	获取价格	暂无描述
2SD1843-M	RENESAS	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1843M-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1844	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 1.5KV V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-247VAR
2SD1845	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
2SD1846	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1846	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1846	PANASONIC	获取价格	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT

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