2SD1847

更新时间： 2024-09-28 06:20:23

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	222K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SD1847 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SD1847 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD1847

DESCRIPTION

·Collector-Base Breakdown Voltage-

: V_CBO= 1500V (Min.)

·High Switching Speed

·Built-in Damper Diode

APPLICATIONS

·Designed for horizontal deflection output applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CES

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector- Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

1500

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current- Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

100

150

-55~150

T_J

Junction Temperature

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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