2SD1846

更新时间： 2024-01-18 11:05:32

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	47K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1846 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.77	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	3.5 A	集电极-发射极最大电压：	700 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小直流电流增益 (hFE)：	4
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	2 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1846 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1846

DESCRIPTION

·With TO-3PFa package

·High voltage,high speed

·Built-in damper diode

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·Horizontal deflection output applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

1500

700

UNIT

Open base

Open collector

3.5

I_CM

Collector current -peak

Base current

I_B

1.5

T_a=25℃

T_C=25℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Max.operating junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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