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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.51 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 |
| JEDEC-95代码： | TO-226 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1855 | ROHM |
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TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE |
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| 2SD1855 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1855 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1855/D | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SD1855/DE | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SD1855/DF | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SD1855/E | ROHM |
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4A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP, TO-220FP, 3 PIN |
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| 2SD1855A | ROHM |
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TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE |
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| 2SD1855A/DE | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SD1855A/DF | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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